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一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件.pdf

    本申请涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：使用清洗气体一对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗；通过PECVD方法在SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且氧化物固溶体薄膜的厚度为20～50nm；在氮气环境下对氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，精细分层的温度为500～900℃；使用清洗气体二对分相层的悬挂键钝化和悬挂键缺陷进行清洗；采用磁控溅射法在分相层上沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高、静态功耗低、可靠性高的优

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300350 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111614210.6 C23C 16/56 (2006.01)

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