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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台,包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件,大功率碳化硅MOSFET开关管用于控制各待测器件的导通与关闭。外加电源的高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压,负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压。本发明可通过上位机选择具体某一个待测器件进行SEB测试,从而在人机交互界面实时显示出辐照时,器件在关断状态下,可获
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114295951 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111540865.3
(22)申请日 2021.12.16
(71)申请人 扬州大学
地址 22
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