电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法.pdf

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一种形成电容器阵列的方法包括在衬底上方形成竖直堆叠。所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料。在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口。在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极。所述底部电容器电极直接抵靠着所述导电结构的导电材料。所述导电结构将所述底部电容器电极直接电耦合在一起。在所述开口中所述底部电容器电极横向内侧形成电容器绝缘体。在所述开口中的个别者中所述电容器绝缘体横向内侧形成顶部电容器电极。所述顶部电容器电极不直接电耦合在一起。公开

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114342065 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202080059988.2 (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限