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- 2023-05-05 发布于四川
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本申请实施例公开了一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。所述方法包括：在对Nand闪存中出错页进行重读时，记录已完成重读的每个出错页在预设的重读表中对应的偏移电压范围；获取同一偏移方向的至少两个出错页对应的偏移电压范围；根据同一偏移方向的出错页对应的偏移电压范围，确定每个偏移方向对应的偏移电压的目标范围；利用每个偏移方向的目标范围，对Nand闪存中未完成重读的出错页进行重读操作。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114296645 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111555463.0
(22)申请日 2021.12.17
(71)申请人 合肥大唐存储科技有限公司
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