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一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法，结构包括衬底，衬底上设有电极引线，电极引线埋设在绝缘保护层中，绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元；功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台，热执行器与下方的所述电极引线连接，热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台，叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。器件基于双层多晶硅结构、多参数热执行器阵列和叉指结构样品台组成的变形载网机制，使该测试芯片可以在原位TEM/SEM里实现适配于多种待测样品的原位多参数力学模式表征功能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114295662 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111576425.3 H01J 37/26 (2006.01) (22)申请日 2

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