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三维存储器中的阶梯结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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三维存储器中的阶梯结构及其形成方法.pdf

    本申请提供了三维存储器中的阶梯结构及其形成方法，该形成方法包括：在衬底上形成包括多个电介质层对的堆叠结构；在堆叠结构上形成覆盖第一阶梯区域和至少一个第一标记区域的第一光阻层，其中第一阶梯区域和第一标记区域沿平行于衬底的第一方向依次设置，第一阶梯区域与第一标记区域之间具有预定的间隔距离；利用第一光阻层，去除至少一个电介质层对的未被第一光阻层覆盖的部分，以形成至少一个第一标记结构；以及去除第一光阻层的覆盖第一标记区域的部分，并利用第一光阻层的覆盖第一阶梯区域的部分，通过多次修整刻蚀循环工艺在第一阶梯

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300461 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111635286.7 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人 长江

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