一种单面粗化引线框架及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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一种单面粗化引线框架及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种单面粗化引线框架及其制备方法，对引线框架基材进行前处理单面贴膜工艺；再采用双向脉冲电流，对经过前处理的引线框架基材进行先预镀铜后电镀粗铜处理；后对所述电镀粗铜进行后处理，即完成所需单面粗化的引线框架。本发明所述方法可提高引线框架在封装过程中的可靠性，从而稳定达到MSL1的水平，使封装后的集成电路在使用过程中不会产生分层，集成电路的使用寿命可以得到保证。引线框架包括本体、粗铜层和银层，本体为铜，粗铜层将本体包裹，银层位于粗铜层部分区域上。提高引线框架在封装过程中的可靠性，使封装后的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284155 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111603533.5 C25D 7/00 (2006.01) (22)申请日 20