半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器.pdf

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本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器。所述方法包括：提供基底以及位于所述基底上的多条金属线，所述多条金属线间隔分布；在所述多条金属线之间形成中空介质层；在所述金属线和所述中空介质层上形成层间介质层，所述层间介质层与所述中空介质层的刻蚀速率不同。本发明实施例能够至少部分避免金属线之间的空气隙被破坏，降低金属线之间的电容，提高半导体器件的工作效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284209 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111650909.8 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人长江存储科技有限责任公司