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MoS2场效应晶体管沟道电子输运性质研究共3篇 MoS2场效应晶体管沟道电子输运性质研究1 摘要：本文研究了MoS2场效应晶体管的沟道电子输运性质。MoS2是一种二维材料，具有优异的电学、光学与力学性能。利用这种材料制造出场效应晶体管，可以为电子学领域的发展提供新的研究方向。本文分别从沟道电场分布、沟道电流密度分布、沟道电子能带结构等方面研究了MoS2场效应晶体管的电子输运性质，并对其在集成电路领域的应用进行了展望。1.引言MoS2是一种典型的二维层状材料，具有许多优良的性能，如高电子迁移率、高机械强度、高光子效应等等。因此，在材料学、电子学、能源和生物医学等多个领域均有广泛的应用