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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明提供了一种硅负极材料的制备方法，先在硅材料表面制备含较多羟基的二氧化硅层，记为Si@SiO2；然后通过羟基使得其可与硅烷偶联剂进行偶合反应，硅烷偶联剂上的尾部氨基朝外，进而得到氨基改性的Si@SiO2，而以苯胺作用碳源，氨基对于苯胺具有静电力作用，产生形核位点可以供苯胺定向生长，从而将聚苯胺均匀包覆在Si@SiO2表面，聚苯胺作为导电高分子，具有很高的导电性，且其共轭结构还具有较强的刚性，对硅材料的膨胀问题具有很好抑制作用。由此，本发明得到的硅负极材料不仅提高了硅碳复合的反应速度，且对硅颗
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300667 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111573853.0
(22)申请日 2021.12.21
(71)申请人 惠州
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