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一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法.pdf

    本发明公开了一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，本发明的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法通过对湿法刻蚀后的硅基材料进行预热处理和施加直流电场，以此来修正硅基材料自身的晶格缺陷以及其在湿法刻蚀过程中产生的晶格缺陷，在高温条件下配合电场力产生的电子风力作用在相关电子以及原子上，使硅基材料恢复其原本的状态，从而提高硅基材料的品质因数，提升其应用性能并增大其应用前景。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300355 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111637888.6 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址

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