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本发明公开了一种套刻标记的制备方法,属于集成电路制备工艺技术领域。它包括提供衬底,衬底上形成有金属层;图形化金属层以获得位于衬底表面的套刻标记区;形成掩模层于金属层上,掩模层上与套刻标记区相对应的位置形成有悬垂的图形窗口,且图形窗口与待制备的套刻标记的形状一致;以掩模层为掩模,通过图形窗口蒸镀标记材料于套刻标记区;去除掩模层,套刻标记区上的标记材料形成套刻标记,从而解决现有技术中直接在晶圆(Wafer)上的铝膜等金属表面蒸镀贵金属Au等制作套刻标记时所产生的黑点、腐蚀痕迹等问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114334906 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202011058736.6
(22)申请日 2020.09.30
(71)申请人 合肥本源量子计算科技有限责任公
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