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一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件.pdf

    本发明提供了一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件，属于光电材料技术领域。本发明提供的ZnO基复合层材料的电阻高于ZnO，降低了电子传输层的电子迁移率，减小了电子注入与传输的效率，有效调控了ZnO层的电子注入能力；其中，胺基修饰的SiO2包覆层的NH2‑封端可在发光层/电子传输层的界面形成偶极层，构成界面间的逆向电场，改变电子注入的方式，进一步调控了界面的电子传输，使QLED的电荷注入趋近完全平衡，降低了由于载流子注入不平衡引起的非辐射复合；SiO2壳层隔绝了ZnO与量子点的直接接触，有

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300630 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111598097.7 (22)申请日 2021.12.24 (71)申请人 河南大学 地址 47

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