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一种存储器(10)、存储器阵列(200)以及存储器(10)的数据读写方法。其中,存储器(10)包括:第一半导体(101)、第一铁电薄膜(102)、第一写电极(103)、第一读电极(104)以及第二读电极(105);第一半导体(101)相对的两端分别设置第一读电极(104)与第二读电极(105);第一铁电薄膜(102)包裹第一半导体(101)的未被第一读电极(104)和第二读电极(105)连接的表面;第一铁电薄膜(102)的外表面与第一写电极(103)连接。通过第一写电极(103)向第一铁电薄膜(
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114342075 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 201980099990.X (51)Int.Cl.
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