LDMOS开关器件及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.29万字
约 11页
2023-05-06 发布于北京
举报
版权申诉

LDMOS开关器件及其制作方法.pdf

1、本文档共11页，其中可免费阅读10页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请提供了LDMOS开关器件及其制作方法。该制作方法，包括以下步骤：在半绝缘SiC基底的第一表面形成栅氧化层和栅极，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧；在半绝缘SiC基底中形成漂移区，并在栅极两侧的半绝缘SiC基底中形成源/漏区，以使源/漏区中的漏区位于漂移区中。本申请的上述方法在半绝缘SiC半绝缘衬底上直接制作RFLDMOS开关器件，可以通过SiC氧化和离子注入实现沟道增强型RFLDMOSFET的工艺设计，该工艺充分发挥了SiC的高热导率属性，SiC高的键能使器件有更高的工作电压，能够在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334660 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111679957.X (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人苏州华太电子技术有限公司