一种简化制程的刀刮二极管芯片及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种简化制程的刀刮二极管芯片及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，在底部进行磷源扩散制作N+，上部进行硼源扩散制作P+，N+底部及P+上部均设有镍/金金属层，芯片四周及边缘“鸟嘴”均包裹在玻璃钝化保护层内；其制作流程：基片清洗、磷扩散、一次吹砂清洗、硼扩散、二次吹砂清洗、氧化退火、一次光刻、沟槽腐蚀、鸟嘴腐蚀、清洗、刮涂玻璃粉（含擦粉）、玻璃钝化、去氧化、镀镍/金、电性测试、激光切割等工序。本发明鸟嘴处直接做腐蚀使其下移，此时鸟嘴处于与台面平齐的玻璃保护之下，不易打火，耐压高，可靠性好；且在刮涂玻璃后采用较易操

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335190 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111568536.X (22)申请日 2021.12.21 (71)申请人南通康芯半导体科技有限公司