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本发明公开一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，包括由下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、n+‑GaN外延层(3a)、n‑‑GaN外延层(3b)，n‑‑GaN外延层(3b)上表面为肖特基电极设置区域(13b)，n+‑GaN外延层(3a)上表面局部露出部分为欧姆电极设置区域(13a)；第一绝缘保护层(6a)覆盖在欧姆电极设置区域(13a)上和肖特基电极设置区域(13b)上，且还覆盖在n+‑GaN外延层(3a)与n‑‑GaN外延层(3b)形成的台阶侧壁面上，第一绝缘保护层(6a)在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114335195 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111675137.3 H01L 29/40 (2006.01)
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