Nord闪存器件的制作工艺.pdfVIP

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2023-05-06 发布于四川
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Nord闪存器件的制作工艺.pdf

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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种Nord闪存器件的制作工艺。该工艺包括步骤：在衬底上制作由下至上依次层叠的多晶硅浮栅层、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅层；刻蚀多晶硅控制栅层，使得多晶硅控制栅层中开设形成第一窗口；依照带有第一窗口的多晶硅控制栅层的表面形貌，沉积浮栅氮化硅层；刻蚀浮栅氮化硅层，使得浮栅氮化硅层中开设形成第二窗口；依照带有第二窗口的浮栅氮化硅层的表面形貌，沉积氧化物层；刻蚀氧化物层；通过酸洗液去除位于第一窗口位置处的多晶硅间介质层，以及位于第一窗口侧壁位置处的氧化物和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334989 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202210104685.9 (22)申请日 2022.01.28 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司