二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于四川
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二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法。本发明的二极管结构包括：栅极结构；阳极，位于栅极结构的一侧，与栅极结构具有间距；阴极，位于栅极结构远离阳极的一侧，与栅极结构具有间距；电容，电容的第一极板与阳极相连接，电容的第二极板与栅极结构相连接。在瞬态ESD期间，高电压变化率可诱导产生电容耦合电流，电容耦合电流将携带一定数量的正跃迁电荷到栅极结构，正跃迁电荷将存储在栅极结构并拉下栅极结构中的能带，并迫使电子聚集在栅极结构下，当正跃迁电荷产生的栅极电势达到一定值时，大电流可以通

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361256 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111631846.1 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人中国