一种APD保护电路结构.pdfVIP

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本发明涉及光通信技术领域,提供了一种APD保护电路结构。其中在APD的旁路电路上设置RC旁通电路,其中,电阻R串联在所述APD的驱动电源供电线路上,电容C并联在所述电阻R与驱动电源连接的一端,并且,电容C的另一端接地。本发明对所述旁路电容处于限流电阻和高压产生芯片或者高压产生电路之间。其一端接于高压电路,另一端接高压电路地网络,用于高压启动瞬间充电。在RC充电常数内,使APD阴极达到雪崩电压点,快速释放掉累积的静态载流子。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114362119 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202210004296.9 (22)申请日 2022.01.04 (71)申请人 武汉电信器件有限公司

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