半导体器件及其制作方法以及图像传感器.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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半导体器件及其制作方法以及图像传感器.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法以及图像传感器，半导体器件的制作方法包括骤：提供第一基底；在所述第一基底上形成多个第一沟槽；对所述第一沟槽进行氧化，以将所述第一沟槽的内壁上的部分基底氧化成二氧化硅膜层；及去除所述二氧化硅膜层，形成多个第二沟槽。本发明提供一种半导体器件及其制作方法以及图像传感器具有优异的像素性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388429 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210063575.2 (22)申请日 2022.01.20 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司