一种自对准高精度调制器制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种自对准高精度调制器制备方法.pdf

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本发明公开了一种自对准高精度铌酸锂调制器的制备方法，包括以下步骤：S1:对有基底、下包层、薄膜铌酸锂构成的晶圆通过前序工艺沉积金属层；S2:采用光刻技术将波导的金属掩膜和电极的图形转移至金属层；S3:经铌酸锂刻蚀工艺在波导两侧刻蚀沟槽形成铌酸锂波导；S4:通过半导体工艺在金属层上制备保护层；S5:对保护层图形化，电极上面的保护图形将电极包覆，而波导上面的金属掩膜裸露在外；S6:去除裸露在外的金属掩膜；S7:去除保护电极的保护图形；S8:制备上包层。本发明在图形化金属层时，同时将制备波导所需的金属

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114371561 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202111664187.1 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人苏州易缆微半导体技术有限公司