一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构及制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构及制备方法.pdf

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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高抗辐射能力SiCMOSFET器件新结构，所述新型平面栅SiCMOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极、N+型衬底和N‑漂移区；N‑漂移区(3)顶部设载流子存储层和P‑base区，载流子存储层一(4)中设P型阻挡区(6)和P+区(8)，载流子存储层二(41)位于P型阻挡区(6)与P+区(8)之间；P‑base区(5)内设N+区(7)和P+区(8)，N+区(7)和P+区(8)与源极金属电极(11)相连。本发明提高了SiCMOSFET器件的抗总剂量辐射

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388621 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210059843.3 (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人湖南大学地址 41