碲锌镉单晶体生长及碲锌镉室温核辐射探测器制.docVIP

碲锌镉单晶体生长及碲锌镉室温核辐射探测器制 碲锌镉单晶体生长及碲锌镉室温核辐射探测器制 碲锌镉单晶体生长及碲锌镉室温核辐射探测器制 碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_xTe)晶体是一种性能优异的新型室温半导体核辐射探测器材料。碲锌镉半导体材料及其探测器在天文、医学、工业和军事等领域具有广泛的用途。但由于碲锌镉晶体及其熔体的导热性都很差，堆垛缺陷能(层错)很低，在生长中熔体上方会形成较大压力的Cd蒸汽，容易引起Cd空位，故难以获得晶格完整性好的高阻(p〉10~(10)Ω(cm)碲锌镉单晶体。目前还没有成熟的、高效的生长高阻碲锌镉单晶体的方法，这极大地制约了碲锌镉晶体的应用。 本文在综合分析论述生长高阻CZT晶体的方法及其理论基础之后，分析了影响CZT单晶体电阻率和完整性的Cd空位产生的原因，研究出了采用富Cd原料补偿法控制Cd空位浓度的新方法，生长出了电阻率高、完整性好、尺寸大的CZT单晶体，研究了Cd空位对CZT晶体性能的影响，制作出了CZT室温核辐射探测器。 CZT熔体上方Cd、Zn、Te三个组元的蒸汽压差别较大，用急冷法进行的初步测试结果表明，Cd组元的分压达到90,左右，这会引起熔体中Cd组元的损失，从而使生长出的晶体内产生Cd空位。控制Cd空位浓度的方法有高压布里奇曼法、外加Cd源补偿法、富Cd原料补偿法及将CZT晶体置于Cd气氛中退火等多种方法，本文对后两种方法进行了系统的研究。其中富Cd原料补偿法尚属首次使用，实验表明这是一种简单实用的生长高阻CZT晶体的有效方法。 为了确保得到性能优良的CZT单晶体，在原料合成过程中进行温度振荡，在晶体生长过程中采用了坩埚旋转下降法，并通过系统的工艺优化实验和性能测试，找出了晶体生长的最佳工艺;当温度梯度为10?,cm、生长速度为0.5mm,h、富Cd原料的补偿Cd分压为5atm时，采用坩埚旋转下降法生长了出四川大学博士学位论文201X年4月尺寸达。红谕瓜she、电阻率达到肛IO’h( 一、红外透过靴到5皿、鹏点蚀坑密度为sxlo,mz的优质Cdi忒fu二e单晶体。 与此同时，本M Zn气氛中对 CZT晶片jltfi,in火Mr了研究，实验表明在Zn气氛中退火有效地调整了CZT晶体中的Cd浓度，从而有效雌高了低阻CZT晶体的电阻率。 此外，本文酗步研究了CZT鳃…0器的制作工艺，实验表明碳能在高阻CZT表面形成 硼制。用碳作电极的CZT探测器对“‘AIn ,gilua的辐照有明显的响应，用娜探测o到了圳AIn 59(SKeV谱线，其腿渊率为28,左右，且没有极化现象。 总之，挪富Cd原郴V偿法，在原料合成过程中进行温度振荡、在晶体生长过程中采用柑祸旋转下降法能生长出电阻率高、完整性好、适合于制作室温核辐射探测器的CZT单晶体。 中文摘要2-4英文摘要4-91 引言9-22 1(1 半导体材料概述9-10 1(2 ?-?化合物半导体10-11 1(3 CZT晶体11-15 1(3(1 晶体结构和结合性质12-13 1(3(2 碲锌镉晶体的物理特性和用途13-15 1(4 CZT生长技术现状15-21 1( 4(1 CZT晶体生长方法15-20 1( 4(2 生长过程中的数值模拟和监控技术20-21 1(5 选题依据和思路21-222 晶体生长基础22-322(1 熔体生长的一般原理23-252(2 分凝和组分过冷25-292(2(1 分凝系数25-282(2(2 组分过冷28-292(3 布里奇曼法原理29-323 CZT晶体生长32-443(1 CZT相图分析32-333(2 CZT蒸汽压的确定33-363(2(1 CZT晶体中Cd空位的来源33-343(2(2 CZT晶体中Cd空位的有害影响34-353(2(3 Cd空位的控制原理35-363(2(4 Cd空位控制方法363(3 CZT蒸汽压的测定36-373(4 CZT原料的合成37-393( 4(1 CZT原料的配制37-383( 4(2 CZT原料的合成38-393(5 晶体生长设备及温场设计39-403(6 单晶体的生长40-433(6(1 安瓿籽晶袋形状的选择413(6(2 晶体生长温度和速度选择41-423(6(3 晶体生长工艺42-433(7 小结43-444 C2T晶体的性能表征及分析44-59 4(1 晶体解理实验44-45 4(2 X-射线衍射实验45-46 4(3 晶体组分和均匀性测试46-48 4(4 晶体的位错蚀坑分析48-50 4( 4(1 位错概述48-49 4( 4(2 样品制备49-50 4(5 红外显微观察与红外透过测试50-52 4( 5(1 样品制备50 4( 5(2 实验结果与分析50-52 4(6 晶体的禁带宽度测试52-53 4