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本发明公开了一种利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法，在衬底上外延并刻蚀GaN基LED纳米柱，将纳米柱转移到柔性临时衬底并去除原有衬底至N型GaN层，得到柔性纳米柱贴膜，将柔性纳米柱贴膜的N型GaN层表面与驱动电路基板通过In电极进行倒装键合，再去除柔性临时衬底，得到高分辨纳米像元显示阵列。本发明利用了柔性纳米柱贴膜方法实现巨量的纳米像元转移，通过高密度纳米阵列规避了巨量转移中的对准对位问题，在无需光刻对准的情况下，实现以单个In电极分别控制若干个GaN纳米柱发光，达成亚微米级分辨
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114420686 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202210092568.5 H01L 33/00 (2010.01)
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