一种赤芍种子工业化快速育苗的方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种赤芍种子工业化快速育苗的方法.pdf

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本发明涉及一种赤芍种子工业化快速育苗的方法，该方法包括：灌杯播种、种子暖温处理、种子低温处理、赤霉素处理和苗期管理；暖温层积处理温度为15‑25℃，处理时间为45天；低温层积处理温度为2‑6℃，处理时30天；赤霉素处理包括：将低温处理的带有赤芍种子苗钵移入15‑20℃，每隔7‑8天进行农用赤霉素浇灌，赤霉素浓度为500‑1100mg/L，浇灌的量20ml。本发明提供的赤芍种子工业化快速育苗的方法，可以显著缩短赤芍育苗周期，使得赤芍育苗时间短、不受季节限制、节省育苗地，为实际工业化快速进行赤芍育苗

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114402736 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210042983.X C05G 5/20 (2020.01)