制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.11万字
约 18页
2023-05-08 发布于北京
举报
版权申诉

制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET.pdf

1、本文档共18页，其中可免费阅读17页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

提供了一种用于在包括至少一条竖直纳米线(125)的半导体衬底(110)上制造非对称竖直纳米线MOSFET(100)的方法，该至少一条竖直纳米线包括核心部分(120)和外壳部分(130)，该外壳部分包围核心部分(120)。该方法包括：在半导体衬底(110)上沉积保护层(140)；在竖直纳米线(125)的未被保护层(140)遮盖的剩余部分(120t)周围形成顶部接触件(150)；去除保护层(140)；在半导体衬底(110)上沉积间隔层(160)；去除竖直纳米线(125)的底部分(125b)的中间部分

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114430862 A (43)申请公布日 2022.05.03 (21)申请号 202080064240.1 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任