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本发明属于抗辐射电子系统技术领域，具体涉及一种应用于强γ场下的小型自动化控制核心，包括设置在电路板(1)上的连接有抗辐射的存储芯片(4)的控制芯片(2)，控制芯片(2)为40nm及以下工艺水平的芯片，存储芯片(4)是相变存储芯片，还包括桥接电路(3)用于将存储芯片(4)的指令转换为控制芯片(2)能够适配的数字信号格式，使得控制芯片(2)能够读取存储芯片(4)的输出内容。本发明提供的应用于强γ场下的小型自动化控制核心，其适应的辐射场能够从200‑300Gy的总剂量，提升到2000Gy以上的水平，并
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114421428 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202111658556.6
(22)申请日 2021.12.30
(71)申请人 中国原子能科学研究院
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