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本发明公开了Bi2Se3基拓扑新材料Ti0.1Bi2Se3单晶及其制备方法，本发明将Ti粉、Bi粉、Se粉这三种初始固体粉末化合物按比例在研钵中进行充分的混合，利用压片机进行压片；将压片后的样品放入到石英管中进行真空封管，利用泵组对竖直连接的试管进行抽真空；再将封装好样品的试管放在管式炉中进行加热，然后将试管取出，放入冰水中进行淬火；得到所述单晶。本发明利用合适的温度和温度梯度加热进行固体化学反应，并以合适温度进行淬火，从而促成固体化学反应后的样品顺利结晶；保证了原材料成分处于双温区充分燃烧和其
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114438599 A
(43)申请公布日 2022.05.06
(21)申请号 202210125109.2
(22)申请日 2022.02.10
(71)申请人 扬州大学
地址 225009
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