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本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块分别包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面。居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块之间并且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块。所述导电层面的最下部中的所述居间材料包括居间部材料。桥接部在所述横向紧邻的存储器块之间横向延伸。所述桥接部包括与所述居间部材料具有不同组成的桥接材料。所述桥接部沿着所述横向
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114446977 A
(43)申请公布日 2022.05.06
(21)申请号 202111281739.0 H01L 27/1157 (2017.01)
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用户编号：7160061112000031
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