金属层间通孔形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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金属层间通孔形成方法.pdf

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本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496911 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210057474.4 (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人普冉半导体（上海）股份有限公司地址