单晶体的制备方法和硅晶体.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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单晶体的制备方法和硅晶体.pdf

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本发明公开了一种单晶体的制备方法和硅晶体。其制备方法包括：在等径生长阶段，根据方程Gh＝a*h2+b*h+G0得到Gh，根据方程GH＝k*H+G0得到GH，其中，a和b为常数，h及H为相对于固液界面高度，分别取值为‑10～0mm、0～10mm，Gh为距离固液界面高度h处边界层的轴向温度梯度，GH为距离固液界面H区域处的轴向温度梯度；在固液界面至第一参考面区域内调整温度梯度至Gh，在固液界面至第二参考面区域内调整温度梯度至GH。该方法通过量化控制固液界面上方及下方区域内轴向温度梯度，使形成的I型和

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114481302 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111619092.8 (22)申请日 2021.12.27 (71)申请人徐州鑫晶半导体科技有限公司