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一种改善氮化钽薄膜均匀性的制备工艺.pdfVIP

一种改善氮化钽薄膜均匀性的制备工艺.pdf

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本发明公开了一种改善氮化钽薄膜均匀性的制备工艺,包括以下步骤:步骤1、将基材传入工艺腔室;步骤2、对工艺腔室抽真空处理;步骤3、在最低的启辉功率下向工艺腔室通入氩气2‑5min;步骤4、在正常功率下通入氩气和氮气进行氮化钽薄膜制备。在最低启辉功率下,利用氩气的辉光放电对基片的表面进行等离子处理,有效改善成核的均匀性,改善膜层的质量,提升产品合格率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114481016 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210074216.7 (22)申请日 2022.01.21 (71)申请人 四川科尔威光电科技有限公司 地址

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