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一种硅的深槽刻蚀方法.pdfVIP

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  • 2023-05-09 发布于北京
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一种硅的深槽刻蚀方法.pdf

    本发明公开了一种硅的深槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：S1：预热；S2：调整外部因素；S3：沉积；S4：刻蚀；S5：侧壁改善，然后通过第二沉积气体在刻蚀界面的侧壁形成第二保护层，附着在第一保护层的表面；S6：交替循环执行S3、S4、S5直到刻蚀达到预定的深度，且在交替循环过程中，第一沉积气体和第二沉积气体的各组分的混合量均随刻蚀深度的变化而动态调整；S7：结束刻蚀。本发明方法能应用于超高深宽比沟槽结构的刻蚀，通过将一个刻蚀循环分解为沉积、刻蚀以及侧壁改善三个子过程，双重侧壁沉

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114477077 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210127595.1 (22)申请日 2022.02.11 (71)申请人 丹东华顺电子有限公司 地址 118

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