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本发明公开了一种利用SF6废气等离子体刻蚀SiO2的系统与方法。所述系统中的洗气室、稀释气体压缩室通过流量计和电磁阀与混气室相连，并与放电室相连，放电室分别又与S沉积室、缓冲气室连接，缓冲气室与与吸收室、收集气瓶(SiF4)及Ar稀释气体压缩室相连接。应用本发明可以首先对SF6废气进行初步洗涤，之后根据降解需求形成SF6/H2/稀释气体混合气体，在放电室中发生还原性降解反应并与SiO2发生刻蚀，生成S单质与SiF4气体，经缓冲气室实现杂质气体、SiF4、Ar的分离，实现S单质、SiF4高纯气体收
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116059806 A
(43)申请公布日 2023.05.05
(21)申请号 202211620535.X B01D 53/48
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