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本发明公开一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构及方法，属于芯片封装领域。针对现有集成芯片尺寸体积过大和性能差的问题，本发明提供一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构，包括硅衬底，硅衬底与PCB板连接，硅衬底的上方堆叠若干层功能层，若干层功能层之间通过Via孔进行堆叠，功能层表面覆盖有钝化层，硅衬底的背面中在与底层功能层中Via孔对应的地方刻蚀形成TSV孔，Via孔与TSV孔内布设导电材料。本发明通过将TSV孔开设在了Via孔上以达到垂直直线导通的目的，实现器件有序堆叠的同时缩短
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114496959 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210091833.8 H05K 3/34 (2006.01)
(22)申请日 2022.01.2
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