一种NAND存储器及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种NAND存储器及其制作方法.pdf

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本发明涉及，且公开了一种NAND存储器及其制作方法，包括以下步骤，S1、提供衬底，所述衬底的表面提供有多层材料层；S2、将材料层进行开沟，所述材料层的侧壁沉积有隔离层；S3、在隔离层的侧面形成多晶硅层，光刻阶梯成形，将多晶硅层进行通孔；S4、多晶硅层的孔内采用多种材料进行腐蚀，进行沉积，形成介质层，生产出NAND存储器。本发明通过开设高深宽比的沟，材料形成淀积层后进行腐蚀通孔，再打通多晶硅沟道，进行腐蚀后淀积众多层材料，有利于改善P离子的掺杂浓度，从而改善双峰效应，且本方法制作出来的NAND存储

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497062 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210073820.8 (22)申请日 2022.01.21 (71)申请人蓝芯存储技术（赣州）有限公司地址