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- 2023-05-09 发布于四川
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本发明公开了一种氮化镓集成功率芯片的制造方法和氮化镓集成功率芯片。制造方法包括：在蓝宝石基底上形成共源共栅级联结构以获得氮化镓集成功率芯片，共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，氮化镓晶体管的源极与硅晶体管的漏极连接，氮化镓晶体管的栅极与硅晶体管的源极连接。本发明的技术方案中，通过蓝宝石基底实现氮化镓集成功率芯片的高耐性。另外，共源共栅级联结构可以实现较高且稳定的阈值电压、栅工作电压。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116072673 A
(43)申请公布日 2023.05.05
(21)申请号 202310212056.2 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2023.02.
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