半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有若干伪栅极结构；在所述基底上形成初始介质层，所述初始介质层位于所述伪栅极结构侧壁表面；刻蚀所述初始介质层，形成介质层，且所述介质层顶部表面低于所述伪栅极结构顶部表面；去除所述伪栅极结构，在所述介质层内形成第一开口；在所述第一开口内和介质层表面形成栅极结构材料膜；平坦化所述栅极结构材料膜，直至暴露出介质层顶部表面，形成栅极结构。所述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496791 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011257792.2 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限