半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体器件及其制造方法.pdf

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公开了一种半导体器件及其制造方法，其在漏电极设置第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱连接至金属硅化物，通过金属硅化物连接漂移区，第二导电柱直接连接至漂移区。本发明提供的半导体器件及其制造方法设置两种导电柱引出漏电极，可在漂移区无漏掺杂区的情况下实现漏电极的引出，降低了漏掺杂区对半导体器件的横向尺寸的占用，为半导体器件的横向尺寸的降低提供了便利。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497222 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111625736.4 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人矽力杰半导体技术（杭州）有限公司地