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本发明公开了一种基于超晶格的PIN二极管，主要解决现有GaNPIN二极管难以形成高有效掺杂P区及低载流子浓度本征区导致性能低的问题。其自下而上包括衬底(1)、N‑型层(2)、本征层(3)及P‑型层(4)，该N‑型层采用由GaN层(21)和AlxGa1‑xN层(22)周期交替排列的N‑型多沟道结构以得到高浓度载流子；本征层采用渐变Al组分的AlxGa1‑xN层或轻掺杂GaN层以得到低载流子浓度；P‑型层采用由AlxGa1‑xN层(41)和GaN层(42)周期交替排列的超晶格结构易得到高载流子浓度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497195 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210000078.8 H01L 21/329 (2006.01)
(22)申请日 2
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