碳化硅基底的膜厚质量评估方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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碳化硅基底的膜厚质量评估方法.pdf

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碳化硅基底的膜厚质量评估方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1∶选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行膜层生长；S2∶选择若干个测量角和波长范围，使用光谱椭偏仪测量相位变化和振幅衰减，根据评价函数MSE公式，得出MSE最小值；S3∶选定测量的若干位置，根据所述MSE最小值对应的测量角和波长范围，得出若干位置的膜厚di和评价函数MSEi；S4∶基于所述评价函数MSEi，得到权重系数Wi；S5∶根据公式计算并得到膜厚均值和膜厚均匀性。本发明通过评价函数和权重系数，计算得到膜厚均值和膜厚均匀性，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114493139 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111627483.4 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人浙江大学杭州国际科创中心地址 3