存储器器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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所公开的主题一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻式随机存取(ReRAM)存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：第一电极，其具有在第一电极的顶部处会聚的锥形侧面；电介质层，其设置在第一电极的锥形侧面上并与第一电极的锥形侧面共形；电阻层，其与第一电极的顶部和电介质层接触；以及第二电极，其设置在电阻层上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497365 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111142320.7 (22)申请日 2021.09.28 (30)优先权数据 17/096950 2020.