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本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法，该碳化硅晶体生长装置包括壳体、石墨坩埚、籽晶组件和加热件。壳体限定出容纳腔，石墨坩埚设在容纳腔内，石墨坩埚用于容纳助溶剂溶液，籽晶组件沿竖直方向可升降配合在壳体上，籽晶组件的一端伸入石墨坩埚内，籽晶组件用于承载生长的碳化硅晶体，加热件位于石墨坩埚的径向外侧：加热件和石墨坩埚中的至少一个沿竖直方向可升降。该碳化硅晶体生长装置，在生长过程中能够维持助溶剂溶液的液面相对于加热件的位置不变，维持助溶剂液面下方的温度梯度恒定，从而增加结晶的稳定性和一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114481293 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210102307.7 C30B 27/02 (2006.01)
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