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半导体结构的制造方法及半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-05-09 发布于四川
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半导体结构的制造方法及半导体结构.pdf

    本公开实施例涉及半导体制造技术领域，提供半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供基底层；在基底层上形成相互间隔的多个掩膜结构，掩膜结构包括两个第一侧墙结构和两个第二侧墙结构，两个第二侧墙结构分别位于两个第一侧墙结构中相对的两个侧壁上，第二侧墙结构包括沿远离基底层的厚度方向依次层叠的第一侧墙层和第二侧墙层；测量相邻掩膜结构的间距和两个第二侧墙结构的间距以进行对比；刻蚀基底层形成第一开口和第二开口，第二开口位于相邻掩膜结构之间，第一开口位于掩膜结构内的两个第二侧墙结构之间；其中，根据对比的结

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072537 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202310215738.9 (22)申请日 2023.03.02 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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