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公开了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括：衬底；外延层，位于所述衬底的第一表面，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第二半导体层电连接；以及预切割道，位于所述外延层的侧壁内侧，以阻隔切割对所述外延层产生的亚表面损伤。本发明提供的LED芯片及其制造方法中，外延层与切割道通过预切割道隔离，以阻隔在切割道中形成切口的过程中带来的亚表面损伤扩散至外延层内部，特别有利于降低LED芯片的漏电和提高光电可靠性；同时，外延层由于没有亚
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497109 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202111620029.6
(22)申请日 2021.12.23
(71)申请人 厦门士兰明镓化合物半导体有限公
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