一种纳米通道原位可控疏水改性方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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一种纳米通道原位可控疏水改性方法.pdf

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本发明公开了一种纳米通道原位可控疏水改性方法，包括将用光刻‑阳极键合工艺加工的具有纳米通道的芯片依次置于丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗；对芯片进行注水实验，试验结束后用去离子水中清洗芯片；将芯片放入Piranha溶液中水浴加热，同时使用磁力搅拌加速溶液进入纳米通道；将芯片放在去离子水中超声清洗；对芯片进行注水实验，试验结束后用去离子水清洗芯片；将芯片浸入疏水改性剂溶液中，同时进行超声波处理；依次用丙酮、乙醇和去离子水进行超声洗涤；对芯片进行注水实验，试验结束后用去离子水清洗芯片。本发明改性后的通

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116060148 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202310129050.9 (22)申请日 2023.02.17 (71)申请人西南石油大学地址 610500