栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池制造方法.pdf

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本发明公开了一种栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池制造方法，N型单晶硅片经预清洗、去损伤、制绒后，先对单晶硅片表面制作掩膜，然后在栅线位置开窗，再以化学抛光液进行刻蚀抛光，使得开窗区域形成光滑凹槽，再对单晶硅片进行单面磷扩散，则在单晶硅片其一面的光滑凹槽上形成重掺杂N+区域，且以该一面为电池正面，最后对单晶硅片进行去磷硅玻璃和掩膜、沉积、印刷栅线，制得栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池。本发明形成的重掺杂N+区域，调节了光生电子在太阳能电池中的传输路径，选择性的增强栅线位置的钝化

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497288 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210092520.4 (22)申请日 2022.01.26 (71)申请人中节能太阳能科技（镇江）有限公司地