具有降低的最小电导状态的突出的存储器件.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.81万字
约 19页
2023-05-10 发布于北京
举报
版权申诉

具有降低的最小电导状态的突出的存储器件.pdf

1、本文档共19页，其中可免费阅读18页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

可以提供实现降低的最小电导状态的存储器器件。该器件包括第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间的相变材料，其中该相变材料取决于相变材料的晶相和非晶相之间的比率来实现多个电导状态。该存储器器件附加地包括在第一电极和第二电极之间的区中的突出层部分。由此，在存储器器件的复位状态下由非晶相中的相变材料直接覆盖的区域大于定向到相变材料的突出层部分的区域，使得产生了存储器器件的电导状态的不连续性，并且实现了复位状态下的存储器器件的降低的最小电导状态。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114530552 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202111350278.8 (22)申请日 2021.11.15 (30)优先权数据