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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明公开了一种故障分析用的半导体试片的制备方法，藉由使用一种非挥发性、非液态且对介电材质具有较高黏着特性而对金属接触材料具有较低黏着特性的黏着材料所构成的黏着层，可大面积、高均匀度的选择性移除介电材料部分厚度，并完整保留金属接触材料，且不会与半导体样品产生化学反应或甚至破坏欲分析的结构，且可藉由选用不同的黏着层材料，控制与介电层的黏着度，进而可以控制移除介电层的厚度，故可提供一种适用于尺寸缩小化的故障分析用半导体试片。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520157 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202110748741.8
(22)申请日 2021.07.02
(30)优先权数据
109140323 2020.
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